非易失性存储器件的电容器专利登记公告

专利名称：非易失性存储器件的电容器

摘要：本发明提供一种非易失性存储器件的电容器，包括：第一电极和第二电极，第一电极和第二电极被形成在半导体衬底的电容器区中，分别具有沿着彼此所形成的连续凹凸状侧表面；以及电介质层，电介质层被形成在第一电极与第二电极之间。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110358957.X

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：柳济一

主权项：一种非易失性存储器件的电容器，包括：第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极被形成在半导体衬底的电容器区中，并分别具有并排形成的连续凹凸状的侧表面；和电介质层，所述电介质层被形成在所述第一电极与所述第二电极之间。

专利地区：韩国

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