基于氮化物的半导体器件专利登记公告

专利名称：基于氮化物的半导体器件

摘要：提供了一种基于氮化物的半导体器件，包括：基底；设置在基底上的半导体层；以及设置在半导体层上的电极结构，其中，电极结构包括：与半导体层欧姆接触的阴极结构；以及具有与半导体层肖特基接触的肖特基电极和与半导体层欧姆接触的欧姆电极的阳极结构。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110319531.3

专利申请（专利权）人：三星电机株式会社

专利发明（设计）人：朴永焕;朴基烈;全祐徹

主权项：一种基于氮化物的半导体器件，包括：基底；半导体层，被设置在所述基底上，并且其中产生二维电子气(2DEG)；以及电极结构，被设置在所述半导体层上，其中，所述电极结构包括：第一欧姆电极，与所述半导体层欧姆接触；第二欧姆电极，与所述半导体层欧姆接触，并且与所述第一欧姆电极分隔开；以及肖特基电极单元，与所述半导体层肖特基接触，并且被设置为与所述第二欧姆电极相邻，同时使所述第二欧姆电极的与所述第一欧姆电极相对的侧面暴露。

专利地区：韩国