基于氮化物的半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：基于氮化物的半导体器件及其制造方法

摘要：本文公开了一种基于氮化物的半导体器件及其制造方法。该基于氮化物的半导体器件包括：基底；设置在基底上并且在其内部产生二维电子气的外延生长层；以及设置在外延生长层上的电极结构。其中，该电极结构包括：栅极；设置在栅极的一侧的源极；以及设置在栅极的另一侧并具有延伸至外延生长层的内部以接触二维电子气的延伸部的漏极。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110319165.1

专利申请（专利权）人：三星电机株式会社

专利发明（设计）人：朴基烈;全祐徹;朴永焕

主权项：一种基于氮化物的半导体器件，包括：基底；外延生长层，设置在所述基底上，并且在其内部产生二维电子气；以及电极结构，设置在所述外延生长层上，其中，所述电极结构包括：栅极；源极，设置在所述栅极的一侧；以及漏极，设置在所述栅极的另一侧，并具有延伸至所述外延生长层的内部以接触所述二维电子气的延伸部。

专利地区：韩国