一种肖特基整流器件及制造方法专利登记公告

专利名称：一种肖特基整流器件及制造方法

摘要：本发明属于整流器件领域，特别涉及一种沟槽肖特基整流器件，该器件包括：由下至上依次为：阴极金属、第一导电类型阴极层、第一导电类型基底、第一导电类型外延层、势垒金属；以及位于外延层之上势垒金属区域外的二氧化硅层；所述的外延层至少有一个由其表面向下延伸的沟槽，沟槽位于外延层之上的二氧化硅层之下，所述的沟槽中设有填充层；沟槽至少一个侧壁向外倾斜，与外延层水平面的角度大于或等于10度，小于或等于45度；该肖特基整流器件有效地缓减了电势的过度集中，提高器件的反向击穿电压；另外本发明还公开了肖特基整流器件的一种制造方法

专利类型：发明专利

专利号：CN201010622193.6

专利申请（专利权）人：比亚迪股份有限公司

专利发明（设计）人：严光能

主权项：一种肖特基整流器件，其特征在于，该器件包括：由下至上依次为：阴极金属、第一导电类型阴极层、第一导电类型基底、第一导电类型外延层、势垒金属；以及位于外延层之上势垒金属区域外的二氧化硅层；所述的外延层至少有一个由其表面向下延伸的沟槽，沟槽位于外延层之上的二氧化硅层之下，所述的沟槽中设有填充层；沟槽至少一个侧壁向外倾斜，与外延层水平面的角度大于或等于10度，小于或等于45度。

专利地区：广东