新型碳化硅肖特基二极管专利登记公告

专利名称：新型碳化硅肖特基二极管

摘要：本发明涉及一种半导体器件，公开了一种应用于高压高频系统如大功率整流、开关电源、变频器等装置中的新型碳化硅肖特基二极管。它包括SiC衬底（2），SiC衬底（2）下端连接有阴极（1），SiC衬底（2）上端连接有SiC外延层（3），SiC外延层（3）上端连接有肖特基势垒接触金属层（5），肖特基势垒接触金属层（5）上设有阳极（6），所述的SiC外延层（3）为至少两个且依次叠接，最下层的SiC外延层（3）与阴极（1）相连，最上层的SiC外延层（3）与肖特基势垒接触金属层（5）相连，SiC外延层（3）的上表面设有P区

专利类型：发明专利

专利号：CN201010592965.6

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：盛况;郭清;邓永辉;崔京京;周伟成

主权项：新型碳化硅肖特基二极管，包括SiC衬底（2），SiC衬底（2）下端连接有阴极（1），SiC衬底（2）上端连接有SiC外延层（3），SiC外延层（3）上端连接有肖特基势垒接触金属层（5），肖特基势垒接触金属层（5）上设有阳极（6），其特征在于：所述的SiC外延层（3）为至少两个且依次叠接，最下层的?SiC外延层（3）与阴极（1）相连，最上层的SiC外延层（3）与肖特基势垒接触金属层（5）相连，?SiC外延层（3）的上表面设有P区（4）。

专利地区：浙江