分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法专利登记公告

专利名称：分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法

摘要：本发明公开一种分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法，涉及半导体技术领域，本发明将单元胞放电管的阴极发射区N1和N3的面积进行等分，分割成多个正方形的阴极发射区，将等分分割之后形成的正方形的阴极发射区在基区上横向和纵向展开复用，并分别呈中心对称地分布在对应的基区P1和P2上，构成二维对称的多元胞集成结构，每个多元胞结构中的两个阴极短路区面积相等。本发明提高了单原胞半导体放电管的散热均匀性，减少了放电管开通时间，明显提高了器件的稳定性和可靠性。本发明可广泛应用于通信领域中的防雷击电子设备。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210006132.6

专利申请（专利权）人：重庆邮电大学

专利发明（设计）人：唐政维;左娇;谢欢;蒋龙;向导;张盼盼;徐佳;张志华;罗嵘;赵卫峰;李文富

主权项：一种分布式多元胞集成半导体放电管，包括：金属电极、阴极发射区、硼基区以及长基区，其特征在于，放电管的纵向为N1、P1、N2、P2、N3五层结构，长基区位于半导体放电管区域的中心，在长基区的上下两面进行硼扩撒，形成硼基区P1、P2，在硼基区上将阴极发射区N1和N3进行分布式扩散形成多元胞结构，再在其表面覆盖金属。

专利地区：重庆