一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法专利登记公告

专利名称：一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法

摘要：本发明提供一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法，其步骤包括：1）在硅片衬底上首先利用等离子体增强型化学气相沉积方法（PECVD）沉积高k值氮化硅薄膜；2）通过光刻和刻蚀去除非MOM区域的氮化硅；3）沉积低k值介质层；4）化学机械研磨去除多余氮化硅，形成低k值介质和氮化硅的混合层；5）完成光刻和刻蚀在低k值介质和氮化硅中形成金属槽；6）完成金属层沉积和金属层化学机械研磨后形成导线和MOM电容器的金属填充；7）重复步骤（1）至步骤（6），形成多层MOM电容器。本发明有效地提高层内电容器的电容，并能有效地改

专利类型：发明专利

专利号：CN201110361155.4

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：毛智彪;胡友存;徐强

主权项：一种多层金属?氮化硅?金属电容器的制作方法，其特征在于：其具有以下步骤：1）在硅片衬底上首先利用等离子体增强型化学气相沉积方法（PECVD）沉积高k值氮化硅薄膜；2）通过光刻和刻蚀去除非MOM区域的氮化硅；3）沉积低k值介质层；4）化学机械研磨去除多余氮化硅，形成低k值介质和氮化硅的混合层；5）完成光刻和刻蚀在低k值介质和氮化硅中形成金属槽；6）完成金属层沉积和金属层化学机械研磨后形成导线和MOM电容器的金属填充；7）重复步骤（1）至步骤（6），形成多层MOM电容器。

专利地区：上海