半导体器件和制造半导体器件的方法专利登记公告

专利名称：半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要：本发明提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件具有连续地形成在公共衬底上的第一和第二堆叠，其中在移除第二堆叠之后剩余的第一堆叠包括场效应晶体管，堆叠在第一堆叠上方的第二堆叠包括不同于上述场效应晶体管的器件，并且包括场效应晶体管的第一堆叠具有蚀刻停止层，该蚀刻停止层定义形成在第一堆叠中的凹部的停止位置并且包括InGaP；下化合物半导体层，该下化合物半导体层被布置在被布置在凹部中的栅电极下方并且包括AlGaAs；以及间隔层，该间隔层被插入在蚀刻停止层和下化合物半导体层之间，以防止包含在蚀刻停止层中

专利类型：发明专利

专利号：CN201110365370.1

专利申请（专利权）人：瑞萨电子株式会社

专利发明（设计）人：尾藤康则

主权项：一种半导体器件，所述半导体器件具有连续地形成在公共衬底之上的第一和第二堆叠，其中移除所述第二堆叠之后剩余的所述第一堆叠包括场效应晶体管，其中堆叠在所述第一堆叠之上的所述第二堆叠包括不同于上述场效应晶体管的器件，并且其中包括所述场效应晶体管的所述第一堆叠包含：蚀刻停止层，所述蚀刻停止层定义用于形成在所述第一堆叠中的凹部的停止位置并且包括InGaP；下化合物半导体层，所述下化合物半导体层被布置在栅电极之下并且包括AlGaAs，所述栅电极被布置在所述凹部中；以及间隔层，所述间隔层插入在所述蚀刻停止层和所述下化合

专利地区：日本