制备准谐振变换器的单片IGBT和二极管结构及方法专利登记公告

专利名称：制备准谐振变换器的单片IGBT和二极管结构及方法

摘要：本发明提出了一种制备准谐振变换器的结构及方法，包括在半导体衬底上形成的半导体功率器件，该半导体功率器件还包括一个在半导体衬底外围附近的通道终止区，其中通道终止区还包括一个二极管的外围端，对应与外围端水平相对的二极管另一端，设置在半导体功率器件的有源区上。在本发明的一个实施例中，半导体功率器件是一个绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110436059.1

专利申请（专利权）人：万国半导体股份有限公司

专利发明（设计）人：安荷·叭剌

主权项：一种半导体器件，其特征在于，包含：一个形成在半导体衬底中的垂直半导体器件；一个位于垂直半导体器件的截止区中的二极管的外围端；一个设置在半导体器件的有源区中的二极管的中心端，其横向远离所述外围端。

专利地区：美国