包括二极管的半导体器件专利登记公告

专利名称：包括二极管的半导体器件

摘要：本发明涉及包括二极管的半导体器件。一种半导体器件包括阴极和阳极。阳极包括第一p型半导体阳极区域和第二p型半导体阳极区域。第一p型半导体阳极区域电连接到阳极接触区域。第二p型半导体阳极区域经由开关电耦合到阳极接触区域，该开关配置成提供第二p型阳极区域和阳极接触区域之间的电连接或电断开。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110446266.5

专利申请（专利权）人：英飞凌科技奥地利有限公司

专利发明（设计）人：H-G.埃克尔;J.舒曼

主权项：一种半导体器件，包含：阴极；以及包括第一p型半导体阳极区域和第二p型半导体阳极区域的阳极，该第一p型半导体阳极区域电连接到阳极接触区域，该第二p型半导体阳极区域经由开关电耦合到阳极接触区域，该开关配置成提供第二p型半导体阳极区域和阳极接触区域之间的电连接或电断开。

专利地区：奥地利