耗尽型MOS管电阻器及其形成方法专利登记公告

专利名称：耗尽型MOS管电阻器及其形成方法

摘要：本发明提供一种耗尽型MOS管电阻器及其形成方法，该耗尽型MOS管电阻器包括在衬底上反串联或反并联连接的第一电阻器和第二电阻器，该第一电阻器与该第二电阻器均包括依次堆叠在该衬底上的电阻体层、介质层、极板层，本发明通过将第一电阻器与第二电阻器彼此反串/并联连接，使施加到本发明电阻器两端的电压的变化引起的电阻值的变化至少部分地通过第一电阻器和第二电阻器得到补偿，以获得更加恒定的电阻值，这样，即使将包括本发明电阻器的半导体器件用于精确的应用中，电压的变化也仅会引起很小的电阻值变化或没有变化，提高了集成电路的稳定性

专利类型：发明专利

专利号：CN201010587766.6

专利申请（专利权）人：无锡华润矽科微电子有限公司

专利发明（设计）人：陈继辉

主权项：一种耗尽型MOS管电阻器，至少包括：衬底；第一电阻器，包括第一电阻体层、第一介质层、第一极板层、第一甲引出端及第一乙引出端，该第一电阻体层、该第一介质层及该第一极板层依次堆叠在该衬底上，该第一甲引出端与该第一乙引出端布置在该第一电阻体层的两侧；以及第二电阻器，包括第二电阻体层、第二介质层、第二极板层、第二甲引出端及第二乙引出端，该第二电阻体层、该第二介质层及该第二极板层依次堆叠在该衬底上，该第二甲引出端与该第二乙引出端布置在该第二电阻体层的两侧，其中，该第一电阻器与该第二电阻器以反串联方式电连接。

专利地区：江苏