半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制造方法

摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其不增加工序数、成本就形成了可靠性高的高耐压p沟道型晶体管。上述半导体器件包括：半导体衬底(SUB)，其具有主表面且在内部具有p型区域；p型阱区域(PLD)，其配置在p型区域(PSR)上且在主表面上，具有用于取出漏电极(DR)的第一p型杂质区域(PR)；n型阱区域(NWR)，其配置成在沿着主表面的方向上与p型阱区域(PLD)相接，具有用于取出源电极(SO)的第二p型杂质区域(PR)；栅电极(GE)，其在沿着主表面的方向上，配置在第一p型杂质区域(PR)与第二p型杂质区

专利类型：发明专利

专利号：CN201110443482.4

专利申请（专利权）人：瑞萨电子株式会社

专利发明（设计）人：佐山弘和

主权项：一种半导体器件，其具备高耐压p沟道型晶体管，在该半导体器件中，上述高耐压p沟道型晶体管包括：半导体衬底，其具有主表面且在内部具有p型区域；p型阱区域，其配置在上述p型区域上且在上述主表面上，具有用于取出漏电极的第一p型杂质区域；n型阱区域，其配置成在沿着上述主表面的方向上与上述p型阱区域相接，具有用于取出源电极的第二p型杂质区域；栅电极，其在沿着上述主表面的方向上，配置在上述第一p型杂质区域与上述第二p型杂质区域之间；以及p型埋入沟道，其配置在上述n型阱区域上，沿着上述主表面延伸，其中，上述n型阱区域与上

专利地区：日本