SRAM存储器及其形成方法专利登记公告

专利名称：SRAM存储器及其形成方法

摘要：一种SRAM存储器及其形成方法，其中所述SRAM存储器，包括：基底，位于基底上呈行列排布的多个存储单元，每个存储单元包括至少一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管；位于所述NMOS晶体管和PMOS晶体管以及基底表面的拉应力层。本发明实施例的SRAM存储器在保持读取裕度不变的情况下提高了写入裕度，SRAM存储器的形成方法降低了工艺复杂程度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210051716.5

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：胡剑;孔蔚然

主权项：一种SRAM存储器，包括：基底，位于基底上呈行列排布的多个存储单元，每个存储单元包括至少一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管；其特征在于，还包括：位于所述NMOS晶体管和PMOS晶体管以及基底表面的拉应力层。

专利地区：上海