非易失性叠层式与非门存储器及其制备方法专利登记公告

专利名称：非易失性叠层式与非门存储器及其制备方法

摘要：本发明公开了一种增加位密度的存储单元的与非门(NAND)串，具有分离字线(栅极)的叠层件。其变化可以增加一顶部辅助栅极至NAND串、一底部辅助栅极至NAND串、或同时增加一顶部辅助栅极和一底部辅助栅极至NAND串。本发明存储器装置可以有效地增加位密度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010589477.X

专利申请（专利权）人：旺宏电子股份有限公司

专利发明（设计）人：吕函庭;萧逸璿

主权项：一种存储器装置，其特征在于，包括：多个存储单元的一与非门NAND串，这些存储单元设置电性串联于一半导体本体上的一第一端和一第二端之间，包括：多个字线叠层件，位于这些叠层件中的一叠层件内的多个字线为彼此电性隔离，这些叠层件延伸出该半导体本体之外，以及一半导体通道材料，覆盖这些字线叠层件，该NAND串经由该半导体通道材料，在该NAND串的该第一端和该第二端之间有一电性串联件，该半导体通道材料设置为多个隆起部延伸于该半导体本体之外，其中，这些隆起部中的一隆起部覆盖这些字线叠层件中相邻的多个叠层件。

专利地区：台湾