浮栅型半导体存储器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：浮栅型半导体存储器件及其制造方法

摘要：本发明提供了一种浮栅型半导体存储器件及其制造方法。所述器件包括隧道绝缘层、形成在隧道绝缘层上的浮栅、形成在浮栅之上的控制栅电极、形成在浮栅和控制栅电极之间的电荷阻挡层以及势垒层，所述势垒层形成在电荷阻挡层和控制栅电极之间的一个或多个区域、浮栅与电荷阻挡层之间的区域上以及与浮栅的侧壁对应的区域上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110367763.6

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：韩坰录

主权项：一种浮栅型半导体存储器件，包括：隧道绝缘层；浮栅，所述浮栅形成在所述隧道绝缘层上；控制栅电极，所述控制栅电极形成在所述浮栅之上；电荷阻挡层，所述电荷阻挡层形成在所述浮栅与所述控制栅电极之间；以及势垒层，所述势垒层形成在所述电荷阻挡层与所述控制栅电极之间的一个或多个区域以及所述浮栅与所述电荷阻挡层之间的区域中。

专利地区：韩国