半导体非易失性存储装置专利登记公告

专利名称：半导体非易失性存储装置

摘要：本发明的可电重写的半导体非易失性存储装置具有：设于第2导电型漏极区内的微孔；设于微孔的表面的隧道绝缘膜；以及隔着隧道绝缘膜埋入微孔的从浮动栅电极延伸的突出部。而且在与微孔相接的漏极区的表面附近，设有成为隧道防止区的电浮动状态的第1导电型隧道防止区，划定在漏极区与浮动区之间隧道电流流过的隧道区的大小。从而获得不增加占用面积而抑制隧道绝缘膜的变差、且具有高可靠性的可电重写的半导体非易失性存储装置。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110462919.9

专利申请（专利权）人：精工电子有限公司

专利发明（设计）人：鹰巢博昭

主权项：一种可电重写的半导体非易失性存储装置，具有：第1导电型半导体衬底；第2导电型源极区和漏极区，互相留有间隔地设在所述半导体衬底的表面；沟道形成区，其为所述源极区与所述漏极区之间的所述半导体区的表面；浮动电极，隔着栅极绝缘膜设在所述源极区、所述漏极区和所述沟道形成区上；控制栅电极，隔着所述浮动栅电极和控制绝缘膜而设置，且与所述浮动栅电容耦合；微孔，从所述漏极区表面向下挖掘，且设在所述漏极区的一部分；突出部，以埋入所述微孔的方式配置，且为所述浮动栅电极的一部分；隧道防止区，配置在所述突出部的周围，且划定隧道区；

专利地区：日本