倒装芯片型半导体背面用薄膜、切割带一体型半导体背面用薄膜、倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法以及半导体装置专利登记公告
专利名称：倒装芯片型半导体背面用薄膜、切割带一体型半导体背面用薄膜、倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法以及半导体装置
摘要：本发明涉及倒装芯片型半导体背面用薄膜、切割带一体型半导体背面用薄膜、倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法以及半导体装置。本发明的课题在于可以在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面设置电磁波屏蔽层，并且可以在不降低生产率的情况下制造具有该电磁波屏蔽层的半导体装置。一种倒装芯片型半导体背面用薄膜，用于在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面上形成，其具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110367402.1
专利申请（专利权）人：日东电工株式会社
专利发明（设计）人：宇圆田大介;松村健;井上刚一;盛田美希
主权项：一种倒装芯片型半导体背面用薄膜，用于在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面上形成，其特征在于，具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层。
专利地区：日本
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