一种低温多晶硅薄膜的制作方法专利登记公告

专利名称：一种低温多晶硅薄膜的制作方法

摘要：本发明实施例提供的一种低温多晶硅薄膜的制作方法，涉及液晶面板制造领域，用以减小了多晶硅薄膜在使用过程中产生的漏电流，从而提高产品质量。该低温多晶硅薄膜的制作方法包括：在基板上依次沉积缓冲层和非晶硅层；对所述非晶硅层进行高温加热，并对非晶硅层进行准分子激光退火，形成多晶硅层；在高温下对所述多晶硅层进行氧化；对所述氧化后的多晶硅层进行刻蚀，以形成多晶硅薄膜。本发明实施例用于薄膜晶体管的制造。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110370014.9

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司

专利发明（设计）人：田雪雁;龙春平;姚江峰

主权项：一种低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：在基板上依次沉积缓冲层和非晶硅层；对所述非晶硅层进行高温加热，并对非晶硅层进行准分子激光退火，形成多晶硅层；在高温下对所述多晶硅层进行氧化；对所述氧化后的多晶硅层进行刻蚀，以形成多晶硅薄膜。

专利地区：北京