修复离子注入损伤的方法专利登记公告

专利名称：修复离子注入损伤的方法

摘要：本发明提供一种修复离子注入损伤的方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，对所述半导体衬底实施离子注入工艺；在氢气的氛围中对所述半导体衬底进行热处理工艺，以修复离子注入损伤；对所述半导体衬底进行金属化处理；在所述半导体衬底上方形成金属连线。所述方法能够修复离子注入对半导体衬底表面的晶格损伤，从而在后续金属化处理过程中，有效防止沉积的金属进入所述半导体衬底内部，从而减小漏电流、避免造成器件穿通的问题。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110051920.2

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

专利发明（设计）人：胡巍强;徐宽

主权项：一种修复离子注入损伤的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，并对所述半导体衬底进行离子注入工艺，以在所述半导体衬底中形成源区和漏区；在氢气的氛围中对所述半导体衬底进行热处理工艺，以修复所述离子注入工艺导致的所述半导体衬底表面的晶格损伤；对所述源区和漏区表面进行金属化处理；在所述源区和漏区上方形成金属连线。

专利地区：上海