一种调整前金属电介层应力的方法专利登记公告

专利名称：一种调整前金属电介层应力的方法

摘要：本发明提供了一种调节前金属介电层应力的方法，通过调整HARP薄膜在不同区域的应力特性，满足不同器件的应力要求。本发明解决了HARP薄膜对PMOS器件的负面影响，同时提高了PMOS和NMOS载流子迁移率，从而提高了半导体器件的整体性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210109585.1

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：张文广;陈玉文

主权项：一种调整前金属介电层应力的方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，提供衬底，衬底上含有NMOS器件和PMOS器件，在NMOS器件和PMOS器件之间被浅沟槽隔离；在衬底的上方沉积有通孔刻蚀停止层；步骤2，通过HARP工艺在所述通孔刻蚀停止层上填充前金属介电层；步骤3，将NMOS器件上方的前金属电介层进行覆盖，露出PMOS器件上方的前金属介电层，对露出的PMOS器件上方的前金属介电层进行紫外光照射；步骤4，去除NMOS器件上方的覆盖物。

专利地区：上海