源漏自对准的MOS器件及其制作方法专利登记公告

专利名称：源漏自对准的MOS器件及其制作方法

摘要：本发明公开了一种源漏自对准的MOS器件及其制作方法，该源漏自对准的MOS器件包括：单晶衬底层；在该单晶衬底上形成的III-V半导体层；在该III-V半导体层上形成的欧姆接触层；在该欧姆接触层上形成的低K介质层；刻蚀该欧姆接触层与该低K介质层形成栅槽，在该栅槽中形成的由绝缘介质制作的侧墙结构；在形成侧墙结构的外延片上形成的高K栅介质层；在栅槽区域的该高K栅介质层之上形成的栅金属电极；以及以该栅金属电极为掩模刻蚀该高K栅介质层和该低K介质层露出欧姆接触层，在露出的该欧姆接触层上形成的源漏金属电极。本发明减小了

专利类型：发明专利

专利号：CN201110386816.9

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：刘洪刚;常虎东;卢力;王虹;薛百清;孙兵

主权项：一种源漏自对准的MOS器件，其特征在于，包括：单晶衬底层(101)；在该单晶衬底(101)上形成的III?V半导体层(102)；在该III?V半导体层(102)上形成的欧姆接触层(103)；在该欧姆接触层(103)上形成的低K介质层(104)；刻蚀该欧姆接触层(103)与该低K介质层(104)形成栅槽，在该栅槽中形成的由绝缘介质制作的侧墙结构(105)；在形成侧墙结构(105)的外延片上形成的高K栅介质层(106)；在栅槽区域的该高K栅介质层(106)之上形成的栅金属电极(107)；以及以该栅金属电极(1

专利地区：北京