金属氧化物半导体器件专利登记公告

专利名称：金属氧化物半导体器件

摘要：本发明涉及金属氧化物半导体技术，公开了一种金属氧化物半导体器件。本发明中，第一差分管的一个漏极与第一陪衬单元的漏极共用一个电极，第二差分管的一个漏极与第二陪衬单元的漏极共用一个电极，这样在刻蚀的时候，陪衬单元能够更好地发挥作用，可以减小版图面积，且匹配更好。第一和第二陪衬单元的源极、栅极和衬底三端分别短接在一起与各自的漏极，形成不导通的反偏的二极管，对电路性能不会造成影响。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110415390.5

专利申请（专利权）人：钜泉光电科技（上海）股份有限公司

专利发明（设计）人：苗跃;萧经华;李秋敏;赵冬芹;曹廷

主权项：一种金属氧化物半导体器件，其特征在于，包含衬底连接在一起的4种连接方式不同的金属氧化物半导体管，分别为第一差分管、第二差分管、第一陪衬单元和第二陪衬单元；第一和第二差分管的栅极分别与两个差分输入端连接，第一和第二差分管的源极相互连接，第一和第二差分管的漏极分别与两个输出端连接；第一陪衬单元的源极、栅极和衬底三端短接在一起；第二陪衬单元的源极、栅极和衬底三端短接在一起；第一差分管和第二差分管以插指的方式匹配，第一陪衬单元和第二陪衬单元分别在第一差分管和第二差分管的外侧，并且第一差分管的一个漏极与第一陪衬单元

专利地区：上海