一种离液式硅片湿法刻蚀装置专利登记公告

专利名称：一种离液式硅片湿法刻蚀装置

摘要：一种离液式硅片湿法刻蚀装置，包括蚀刻槽、蚀刻液、吸雾管和吸液滚轮，其中，吸液滚轮等间隔等高度地安装在蚀刻槽内的上端面，蚀刻液的液面高于吸液滚轮外圆的下端面，低于吸液滚轮的轴线，吸雾管设置在两只吸液滚轮之间，且位于蚀刻液之上，吸液滚轮外圆的上端面之下，在吸雾管的外圆上侧面上设有吸气孔，吸雾管与吸风机相连，这样使得硅片四周被污染的面积大幅度缩小，上端面不会受到污染，保证了刻蚀区域的准确性，工艺控制简单，刻蚀效果稳定，刻蚀的合格品大幅度提高，还能进一步改善工作环境，防止蚀刻液雾气对操作者伤害。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110392004.5

专利申请（专利权）人：常州亿晶光电科技有限公司

专利发明（设计）人：胡江生

主权项：一种离液式硅片湿法刻蚀装置，其特征是：包括蚀刻槽(1)、蚀刻液(3)、吸雾管(5)和吸液滚轮(6)，吸液滚轮(6)等间隔等高度地安装在蚀刻槽(1)内的上端面，蚀刻液(3)的液面高于吸液滚轮(6)外圆的下端面，低于吸液滚轮(6)的轴线，吸雾管(5)设置在两只吸液滚轮(6)之间，且位于蚀刻液(3)之上，吸液滚轮(6)外圆的上端面之下，在吸雾管(5)的外圆上侧面上设有吸气孔(51)，吸雾管(5)与吸风机相连。

专利地区：江苏