一种酸性蚀刻液及其制备方法和应用专利登记公告

专利名称：一种酸性蚀刻液及其制备方法和应用

摘要：本发明涉及一种酸性蚀刻液及其制备方法和应用，组成包括：1～20wt％的氢氟酸，20～60wt％的硝酸，1～20wt％的氟硅酸，其余为水。制备方法包括：以氟化氢气体或氟化氢酸，70～98wt％的硝酸水溶液和硅或二氧化硅为原料，按上述配比混合，得酸性蚀刻液。酸性蚀刻液用于蚀刻硅晶片、GaAs晶片、GaP晶片或InP晶片的蚀刻。本发明与传统的蚀刻液不同，不需要对环境造成较大负担的醋酸、磷酸等，不会产生异味，也可减小废弃物的负荷。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210039679.6

专利申请（专利权）人：上海正帆科技有限公司;上海正帆半导体设备有限公司;上海交通大学

专利发明（设计）人：顾顺超;管世兵;严俊

主权项：一种酸性蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的组成包括：1～20wt％的氢氟酸，20～60wt％的硝酸，1～20wt％的氟硅酸，其余为水。

专利地区：上海