一种制备中空太阳能吸收材料CuInS₂的方法专利登记公告

专利名称：一种制备中空太阳能吸收材料CuInS₂的方法

摘要：本发明涉及一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法，该方法铟源、硫源等为前驱物，以具有特定形貌——氧化亚铜为自牺牲模板和铜源，通过选择合适的溶剂和表面活性剂、控制一定的反应温度和反应时间即可制备出CuInS2中空纳米材料。与现有技术相比，本发明操作步骤简单，反应迅速，成本低廉，能满足工业化要求，制备的CuInS2中空纳米材料可在光催化及太阳能光伏电池上有很好的应用。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110397191.6

专利申请（专利权）人：上海交通大学

专利发明（设计）人：宰建陶;钱雪峰;陈虹锦;黄崇文;徐淼;沈杰;肖映林;韩倩琰;李波

主权项：一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将铟盐、硫源和助剂加入到聚四氟乙烯反应釜中，然后加入溶剂，配成铟盐浓度为0.01?0.5M的溶液，搅拌或超声溶解；(2)称取与铟盐相等摩尔量的氧化亚铜模板加入到上述溶液中，搅拌或超声均匀，制成反应前驱液；(3)将反应釜密封，控制温度140?200℃，反应时间1?24小时；反应结束后，反应釜自然冷却到室温，将产物过滤或离心分离，用无水乙醇洗涤数次，真空抽干，即获得CuInS2中空材料。

专利地区：上海