微波溶剂热合成Cu₂ZnSnS₄半导体材料的方法专利登记公告

专利名称：微波溶剂热合成Cu₂ZnSnS₄半导体材料的方法

摘要：本发明公开了一种微波溶剂热合成Cu2ZnSnS4(CZTS)半导体材料的方法。将铜盐、锌盐、锡盐和硫源等按预定摩尔比加入烧杯内，加入溶剂，混合均匀后倒入反应釜，密闭后放入微波场中加热，待温度上升至额定温度后保温额定时间，所得产物经过离心、洗涤、真空干燥后得Cu2ZnSnS4半导体材料。所述溶剂为水、乙二醇、乙二胺和联胺中的一种或多种；所述硫源为硫脲或硫粉。本发明利用微波辅助溶剂热合成工艺制备的Cu2ZnSnS4半导体材料纯度高，同时具有合成速度快、反应装置更简单、成本低、工艺控制容易等优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210062461.2

专利申请（专利权）人：桂林理工大学;广西地凯光伏能源有限公司

专利发明（设计）人：龙飞;曾彦;邹正光;王东生

主权项：一种微波溶剂热合成Cu2ZnSnS4半导体材料的方法，其特征在于具体步骤为：将铜盐、锌盐、锡盐和硫源按摩尔配比(1～3)∶(0.5～1.5)∶(0.5～1.5)∶(4～6)混合，加入溶剂，溶剂用量为使上述原料完全溶解且溶剂体积不超过反应釜容积的2/3，混合均匀后倒入反应釜，密闭后放入微波场中加热，待温度上升至100～250℃后保温0.5～12小时，所得产物经过蒸馏水和无水乙醇离心洗涤2～3次，然后在70～90℃下的真空干燥箱内干燥7～9小时得Cu2ZnSnS4半导体材料；所述溶剂为水、乙二醇、乙二胺和联胺

专利地区：广西