制造半导体装置的方法专利登记公告

专利名称：制造半导体装置的方法

摘要：本发明公开了一种制造半导体装置的方法。在制造半导体装置的方法中，准备具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。在基底的将形成贯通电极的区域中形成牺牲层图案。牺牲层图案沿基底的厚度方向从基底的第一表面延伸。在基底的第一表面上形成上部布线层。上部布线层包括位于牺牲层图案上的布线。将基底的第二表面部分地去除以暴露牺牲层图案。从基底的第二表面去除牺牲层图案，以形成暴露布线的开口。在开口中形成要电连接到布线的贯通电极。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110402768.8

专利申请（专利权）人：三星电子株式会社

专利发明（设计）人：朴炳律;崔吉铉;方硕哲;文光辰;林东灿

主权项：一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：准备具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底；在基底的将形成贯通电极的区域中形成牺牲层图案，所述牺牲层图案沿基底的厚度方向从基底的第一表面延伸；在基底的第一表面上形成上部布线层，所述上部布线层包括位于牺牲层图案上的布线；将基底的第二表面部分地去除以暴露牺牲层图案；从基底的第二表面去除牺牲层图案，以形成暴露所述布线的第一开口；以及在第一开口中形成要电连接到所述布线的贯通电极。

专利地区：韩国