具有超低电介质常数介电质的集成电路系统及其制造方法专利登记公告

专利名称：具有超低电介质常数介电质的集成电路系统及其制造方法

摘要：本发明涉及一种具有超低电介质常数介电质的集成电路系统及其制造方法，制造集成电路系统的方法，其是包含下列步骤：提供一蚀刻终止层；形成一层堆栈于该蚀刻终止层上方，其中，该层堆栈有在一低温氧化物层上方的一抗反射涂层；形成一光致抗蚀剂层于该抗反射涂层上方；由该光致抗蚀剂层形成一第一阻剂线与一第二阻剂线，其中，该第一阻剂线与该第二阻剂线被该抗反射涂层上的一直通线间距隔开；使用一低压聚合物爆发以一非氧化性气体混合物蚀刻该抗反射涂层，以移除该抗反射涂层的一部份；以及形成一第一聚合物层于该第一阻剂线上方。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110417540.6

专利申请（专利权）人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

专利发明（设计）人：R·P·斯里瓦斯塔瓦

主权项：一种制造集成电路系统的方法，其是包含下列步骤：提供一蚀刻终止层；形成一层堆栈于该蚀刻终止层上方，其中，该层堆栈有在一低温氧化物层上方的一抗反射涂层；形成一光致抗蚀剂层于该抗反射涂层上方；由该光致抗蚀剂层形成一第一阻剂线与一第二阻剂线，其中，该第一阻剂线与该第二阻剂线被该抗反射涂层上的一直通线间距隔开；使用一低压聚合物爆发以一非氧化性气体混合物蚀刻该抗反射涂层，以移除该抗反射涂层的一部份；以及形成一第一聚合物层于该第一阻剂线上方。

专利地区：新加坡