用于在半导体本体中制造插塞的方法专利登记公告

专利名称：用于在半导体本体中制造插塞的方法

摘要：本发明公开了用于在半导体本体中制造插塞的方法。一种用于在半导体层中制造电极的方法包括：提供具有第一表面和第二表面的衬底；形成第一槽，所述第一槽具有侧壁并且从所述第一表面延伸到所述衬底中；以及在所述第一槽中形成插塞。所述方法还包括：通过在所述第一表面开始去除半导体材料来减小所述半导体衬底的厚度，以便至少部分地暴露所述插塞的侧壁；以及在所述半导体衬底上形成半导体层，所述半导体层至少部分地覆盖所述插塞的暴露侧壁，并且具有上表面。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110420023.4

专利申请（专利权）人：英飞凌科技奥地利有限公司

专利发明（设计）人：O.布兰克;R.西米尼克;M.H.韦勒迈耶

主权项：?一种用于在半导体层中制造电极的方法，所述方法包括：提供具有第一表面和第二表面的衬底；形成第一槽，所述第一槽具有侧壁并且从所述第一表面延伸到所述衬底中；在所述第一槽中形成插塞；通过在所述第一表面开始去除半导体材料来减小所述半导体衬底的厚度，以便至少部分地暴露所述插塞的侧壁；在所述半导体衬底上形成半导体层，所述半导体层至少部分地覆盖所述插塞的暴露侧壁，并且具有上表面。

专利地区：奥地利