制备双大马士革结构的方法专利登记公告

专利名称：制备双大马士革结构的方法

摘要：本发明提供的一种制备双大马士革结构的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、介质层和第一金属硬掩膜；刻蚀打开第一金属硬掩膜并直至去除部分介质层以形成沟槽；淀积第二金属硬掩膜；刻蚀打开第二金属硬掩膜并直至去除介质层和刻蚀阻挡层以形成通孔；在所述沟槽和通孔内填充金属。本发明的制备双金属硬掩膜的双大马士革结构的方法使用了金属硬掩膜，因此可以很好的控制沟槽和通孔的尺寸，从而减少漏电流，电学性能和可靠性显著提高。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210014790.X

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：姬峰;陈玉文;李磊;胡友存;张亮

主权项：一种制备双大马士革结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、介质层和第一金属硬掩膜；步骤2，在第一金属硬掩膜上旋涂第一光刻胶，并光刻形成第一光刻图案；步骤3，刻蚀打开第一金属硬掩膜并直至去除部分介质层以形成沟槽，去除第一光刻胶；步骤4，淀积第二金属硬掩膜；步骤5，在所述第二金属硬掩膜上旋涂第二光刻胶，并光刻形成第二光刻图案；步骤6，刻蚀打开第二金属硬掩膜并直至去除介质层和刻蚀阻挡层以形成通孔，并去除第二光刻胶；步骤7，在所述沟槽和通孔内填充金属。

专利地区：上海