高-介电系数金属闸极装置专利登记公告

专利名称：高-介电系数金属闸极装置

摘要：本发明揭露形成半导体装置的方法。所述方法包含提供基板。所述方法更包含在基板上形成具有闸电极的闸极堆栈，包含形成金属闸电极层。在所述金属闸电极层的顶部上，形成缓冲闸电极层，以及在所述金属闸电极层上方，形成具有多硅合金的顶部闸电极层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110405732.5

专利申请（专利权）人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

专利发明（设计）人：陈学深;尹春山

主权项：一种形成半导体装置的方法，包括：提供基板；以及在所述基板上，形成具有闸电极的闸极堆栈，包括：形成金属闸电极层，在所述金属闸电极层的顶部，形成缓冲闸电极层，以及在所述缓冲闸电极层上方，形成具有多硅合金的顶部闸电极层。

专利地区：新加坡