铂金属硅化物的形成方法专利登记公告

专利名称：铂金属硅化物的形成方法

摘要：本发明提供一种铂金属硅化物的形成方法，依次包括铂金属硅化物的淀积、热退火和清洗三个步骤，其中淀积步骤的具体工艺条件包括：淀积腔室的等离子体产生功率为1000～3000W，正面Ar流量为55～85sccm，背面Ar流量为5～20sccm，淀积温度为150+/-15℃；热退火步骤的具体工艺条件包括：退火温度为540+/-5℃，退火时间＞30s，热退火时通入的N2流量为5+/-0.5slm，通入的O2流量为0～5slm；清洗步骤的具体工艺条件包括：使用王水槽作为清洗反应槽，清洗时间＞20min。本发明能够使采用

专利类型：发明专利

专利号：CN201210073174.1

专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司

专利发明（设计）人：刘峰松;徐雷军;姜剑光

主权项：一种铂金属硅化物的形成方法，依次包括铂金属硅化物的淀积、热退火和清洗三个步骤，其中：所述淀积步骤的具体工艺条件包括：淀积腔室的等离子体产生功率为1000～3000W，正面Ar流量为55～85sccm，背面Ar流量为5～20sccm，淀积温度为150+/?15℃；所述热退火步骤的具体工艺条件包括：退火温度为540+/?5℃，退火时间＞30s，热退火时通入的N2流量为5+/?0.5slm，通入的O2流量为0～5slm；所述清洗步骤的具体工艺条件包括：使用王水槽作为清洗反应槽，清洗时间＞20min。

专利地区：上海