对地址不对称NVM单元具有增强的效率的非易失性存储器专利登记公告
专利名称：对地址不对称NVM单元具有增强的效率的非易失性存储器
摘要：本发明涉及对地址不对称NVM单元具有增强的效率的非易失性存储器。本申请描述了利用PMOS晶体管作为存取晶体管的MRAM单元的实施例。MRAM单元被配置为减轻施加不对称电流负荷以使MRAM单元的磁性隧道结在磁阻状态之间转变的效果。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110408354.6
专利申请（专利权）人：英飞凌科技股份有限公司
专利发明（设计）人：A.奈伊
主权项：一种电路，包括：存取晶体管，包括栅极区域、源极区域、以及漏极区域，所述存取晶体管是PMOS晶体管；以及磁性组件，被连接到所述存取晶体管的所述漏极区域。
专利地区：德国
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