具有阻变器件的半导体器件专利登记公告

专利名称：具有阻变器件的半导体器件

摘要：本发明公开了一种半导体存储器件，半导体存储器件包括：多个字线，所述多个字线垂直地形成在半导体衬底的表面上，其中，所述多个字线中的每一对字线形成字线组；位线，所述位线被形成为平行于半导体衬底的表面，并且在构成一个字线组的每一对字线之间层叠有多个所述位线；以及单位存储器单元，所述单位存储器单元被设置在各个位线与字线组中的一个字线组的一对字线中的相邻的一个字线之间。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110413950.3

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：白承范;具滋春;李泳昊;金珍赫

主权项：一种半导体存储器件，包括：多个字线，所述多个字线垂直地形成在半导体衬底的表面上，其中，所述多个字线中的每一对字线形成字线组；多个位线，所述多个位线被形成为平行于所述半导体衬底的所述表面，其中，所述位线以一个层叠在另一个之上的形式层叠在所述字线组中的一个字线组的一对字线之间；以及单位存储器单元，所述单位存储器单元被设置在所述位线中的各个位线与所述一个字线组的所述一对字线中的相邻的一个字线之间。

专利地区：韩国