一种小尺寸阻变存储器及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种小尺寸阻变存储器及其制备方法

摘要：本发明公开了一种阻变存储器结构及制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括衬底，衬底上设有下电极，下电极上设有阻变层，在阻变层上设置带有侧墙的隔离层和上电极。本发明通过减小阻变存储器上电极的面积，来有效地控制阻变存储器的阻变发生的区域，从而改善阻变存储器参数的波动性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210018873.6

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：张丽杰;黄如

主权项：一种阻变存储器，包括衬底，其特征在于，在衬底上设有下电极，在下电极上设有阻变层，阻变层上设有带侧墙的隔离层，以及阻变层上有未被侧墙覆盖的露出区域，在露出阻变层的区域上设有上电极。

专利地区：北京