一种阻变存储器的制备方法专利登记公告

专利名称：一种阻变存储器的制备方法

摘要：本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该方法首先在衬底上淀积下电极，下电极上淀积阻变层，阻变层上淀积隔离层，在隔离层上淀积上电极，对上电极和下电极施加电压，在隔离层内形成细丝状的有效电极。本发明制备出的结构由于经过电学的操作，可实现小尺寸器件，从而可以有效地降低器件参数的波动性，改善器件的均一性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210018980.9

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：张丽杰;黄如

主权项：一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，在衬底上淀积下电极，下电极上淀积阻变层，阻变层上淀积隔离层，在隔离层上淀积上电极，对上电极和下电极施加电压，在隔离层内形成细丝状的有效电极。

专利地区：北京