一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb₂Te相变存储材料专利登记公告

专利名称：一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb₂Te相变存储材料

摘要：本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备和应用。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为SbxTeyTi100-x-y，其中0＜x＜80，0＜y＜100-x。当为Ti-Sb2Te相变存储材料时，Ti原子替代Sb原子的位置，且没有分相。现有的Sb-Te相变材料结晶过程以晶粒生长占主导，因此相变速率快，然而保持力不能满足工业要求。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料的结晶温度得到大幅度地升高，保

专利类型：发明专利

专利号：CN201210076528.8

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：吴良才;朱敏;宋志棠;饶峰;宋三年;刘波;封松林

主权项：一种用于相变存储器的Sb?Te?Ti相变存储材料，为在Sb?Te相变存储材料中掺入Ti而成，其化学通式为SbxTeyTi100?x?y，其中0＜x＜80，0＜y＜100?x。

专利地区：上海