薄膜晶体管及其制造方法专利登记公告

专利名称：薄膜晶体管及其制造方法

摘要：一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层、源极、漏极及光阻挡层。栅绝缘层覆盖栅极。氧化物半导体层配置于栅绝缘层上且位于栅极上方。源极与漏极配置于部分的氧化物半导体层上。光阻挡层位于氧化物半导体层上方，且包括第一绝缘层、紫外线滤除层及第二绝缘层。第一绝缘层配置于氧化物半导体层上。紫外线滤除层配置于第一绝缘层上。第二绝缘层配置于紫外线滤除层上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110415277.7

专利申请（专利权）人：华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司

专利发明（设计）人：张锡明

主权项：一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一栅极；一栅绝缘层，覆盖该栅极；一氧化物半导体层，配置于该栅绝缘层上且位于该栅极上方；一源极与一漏极，配置于部分的该氧化物半导体层上；以及一光阻挡层，位于该氧化物半导体层上方，包括：一第一绝缘层，配置于该氧化物半导体层上；一紫外线滤除层，配置于该第一绝缘层上；一第二绝缘层，配置于该紫外线滤除层上。

专利地区：江苏