薄膜晶体管器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：薄膜晶体管器件及其制造方法

摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管器件及其制造方法，涉及有源矩阵显示技术，解决了现有薄膜晶体管器件阈值电压调整方法容易使载流子迁移率降低、光刻胶难于剥离等问题。本发明在制造薄膜晶体管的过程中，通过在制备栅绝缘层后，将对应于薄膜晶体管栅电极的凹入部形成在栅绝缘层上，使得随后形成栅电极与薄膜晶体管沟道区间的栅绝缘层厚度减小，从而降低了薄膜晶体管的阈值电压绝对值，由于本发明不需要通过对沟道进行离子注入来调节薄膜晶体管器件的阈值电压，因此，可防止载流子迁移率降低，并能避免光刻胶难于剥离的情况发生。本发明用于制造有源矩阵显

专利类型：发明专利

专利号：CN201010597262.2

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司

专利发明（设计）人：袁剑峰

主权项：一种薄膜晶体管器件，包括源电极、漏电极、栅电极、以及与栅电极对应的有源层，所述栅电极和所述有源层之间形成有栅绝缘层，其特征在于，所述栅绝缘层上与所述栅电极对应位置处形成有凹入部。

专利地区：北京