半导体器件及其制作方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制作方法

摘要：公开了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括：衬底，外延层，在衬底上形成，且具有第一导电型，在外延层中形成的多个深阱，多个深阱为与第一导电型相反的第二导电型；在相邻的深阱之间的外延层的顶部中形成的多个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元，外延层的顶部形成为本体区，衬底形成为漏极区；每个沟槽MOSFET单元包括在本体区中形成的源区和浅沟槽栅极，所述浅沟槽栅极的沟槽深度小于相邻的深阱间的距离的二分之一。利用本技术的方案实现了Ron*Qg减小。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210052517.6

专利申请（专利权）人：成都芯源系统有限公司

专利发明（设计）人：马荣耀;李铁生;唐纳德·迪斯尼;张磊

主权项：一种半导体器件，包括：衬底，外延层，在所述衬底上形成，且具有第一导电型，在所述外延层中形成的多个深阱，所述多个深阱为与所述第一导电型相反的第二导电型；在相邻的深阱之间的外延层的顶部中形成的多个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元，所述外延层的顶部形成为本体区，所述衬底形成为漏极区；其中，每个所述沟槽MOSFET单元包括在所述本体区中形成的源区和浅沟槽栅极，所述浅沟槽栅极的沟槽深度小于相邻的深阱间的距离的二分之一。

专利地区：四川