双层隔离半导体纳米线MOSFET专利登记公告

专利名称：双层隔离半导体纳米线MOSFET

摘要：一种双层隔离半导体纳米线MOSFET，包括：半导体衬底；第一半导体纳米线MOSFET，进一步包括第一半导体纳米线和第一栅氧化层；第二半导体纳米线MOSFET，进一步包括第二半导体纳米线和第二栅氧化层；隔离介质层，设置在所述第一半导体纳米线MOSFET与所述第二半导体纳米线MOSFET之间；埋氧层，设置在所述第一半导体纳米线MOSFET与所述半导体衬底之间。本发明中的第一半导体纳米线MOSFET与第二半导体纳米线MOSFET通过隔离介质层间隔，可独立的进行工艺调试，且器件集成度高。同时本发明中第一半导体纳米

专利类型：发明专利

专利号：CN201210050781.6

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：黄晓橹

主权项：一种双层隔离半导体纳米线MOSFET，其特征在于，所述双层隔离半导体纳米线MOSFET包括：半导体衬底；第一半导体纳米线MOSFET，具有第一源极区、第一漏极区以及第一栅极区，并形成在所述半导体衬底上，所述第一半导体纳米线MOSFET进一步包括横向贯穿于所述第一栅极区并设置在所述第一源极区与所述第一漏极区之间的第一半导体纳米线，以及环包设置在所述第一半导体纳米线外侧并介于所述第一半导体纳米线与所述第一栅极区之间的第一栅氧化层；第二半导体纳米线MOSFET，具有第二源极区、第二漏极区以及第二栅极区，并形成在

专利地区：上海