双层隔离纵向堆叠式半导体纳米线MOSFET专利登记公告

专利名称：双层隔离纵向堆叠式半导体纳米线MOSFET

摘要：一种双层隔离纵向堆叠式半导体纳米线MOSFET，包括：半导体衬底；第一半导体纳米线MOSFET，进一步包括第一半导体纳米线组以及第一栅氧化层；第二半导体纳米线MOSFET，进一步包括第二半导体纳米线组以及第二栅氧化层；隔离介质层，设置在所述第一半导体纳米线MOSFET与所述第二半导体纳米线MOSFET之间；埋氧层，设置在所述第一半导体纳米线MOSFET与所述半导体衬底之间。本发明采用第一半导体纳米线MOSFET具有纵向堆叠式第一半导体纳米线组和第二半导体纳米线MOSFET具有纵向堆叠式第二半导体纳米线组的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210050780.1

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：黄晓橹

主权项：一种双层隔离纵向堆叠式半导体纳米线MOSFET，其特征在于，所述双层隔离纵向堆叠式半导体纳米线MOSFET包括：半导体衬底；第一半导体纳米线MOSFET，具有第一源极区、第一漏极区以及第一栅极区，并形成在所述半导体衬底上，所述第一半导体纳米线MOSFET进一步包括横向贯穿于所述第一栅极区并设置在所述第一源极区与所述第一漏极区之间的第一半导体纳米线组，所述第一半导体纳米线组包括呈纵向堆叠式设置的第一半导体纳米线，所述第一半导体纳米线MOSFET还包括环抱设置在所述第一半导体纳米线组的第一半导体纳米线外侧并介

专利地区：上海