利用均匀氧化物层形成于晶体管中的嵌埋Σ形半导体合金专利登记公告

专利名称：利用均匀氧化物层形成于晶体管中的嵌埋Σ形半导体合金

摘要：本发明涉及一种在腔穴蚀刻前利用均匀氧化物层形成于晶体管中的嵌埋∑形半导体合金，在形成需要嵌埋半导体合金的精密晶体管时，例如，藉由提供均匀氧化物层以便减少与制程有关的波动或等候时间变异，基于结晶非等向性蚀刻步骤，可形成有优越均匀性的腔穴。基于APC控制方案，可形成该均匀氧化物层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110421501.3

专利申请（专利权）人：格罗方德半导体公司;格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司

专利发明（设计）人：S·克朗霍尔兹;A·奥特;I·奥斯特迈

主权项：一种方法，其系包含下列步骤：基于氧化物层的预定义目标厚度，在一作用区的数个暴露表面区上形成该氧化物层，该作用区已有一栅极结构形成于其上；执行由数个湿化学蚀刻制程组成的一顺序以便移除该氧化物层以及在该作用区中形成一腔穴；在该腔穴中形成一半导体材料；以及在该作用区中形成汲极/源极区。

专利地区：开曼群岛