一种简化多阈值电压的制程光罩层数的方法专利登记公告
专利名称：一种简化多阈值电压的制程光罩层数的方法
摘要：本发明公开了一种简化多阈值电压的制程光罩层数的方法，其中，包括如下具体步骤：步骤a、通过N阱区的光罩对于PMOS的不同阈值电压区域进行阱离子注入和常规阈值电压离子注入；步骤b、通过P阱区的光罩对于NMOS的不同阈值电压区域进行阱离子注入和常规阈值电压离子注入；步骤c、使用一张光罩同时在所述NMOS的高阈值电压区域和所述PMOS的低阈值电压区域同时掺杂；步骤d、使用一张光罩同时在所述PMOS的高阈值电压区域和所述NMOS的低阈值电压区域进行掺杂。本发明的有益效果是：在工艺上满足了多阈值电压共存的需求，同时又
专利类型：发明专利
专利号：CN201110384038.X
专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司
专利发明（设计）人：魏峥颖
主权项：一种简化多阈值电压的制程光罩层数的方法，其特征在于，包括如下具体步骤：步骤a、通过N阱区的光罩对于PMOS的不同阈值电压区域进行阱离子注入和常规阈值电压离子注入；步骤b、通过P阱区的光罩对于NMOS的不同阈值电压区域进行阱离子注入和常规阈值电压离子注入；步骤c、使用一张光罩同时在所述NMOS的高阈值电压区域和所述PMOS的低阈值电压区域同时掺杂；步骤d、使用一张光罩同时在所述PMOS的高阈值电压区域和所述NMOS的低阈值电压区域进行掺杂。
专利地区：上海
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