提高使用反射性材料的伸展应力衬垫的紫外线固化专利登记公告

专利名称：提高使用反射性材料的伸展应力衬垫的紫外线固化

摘要：本发明涉及提高使用反射性材料的伸展应力衬垫的紫外线固化，提供一种制造半导体装置的方法，其开始于在半导体晶圆上制作n-型金氧半导体(NMOS)晶体管结构。该方法继续在该NMOS晶体管结构上方形成光学反射层、在该光学反射层上方形成伸展应力诱发材料层、以及通过施加紫外线照射以固化该伸展应力诱发材料层。一些该紫外线照射直接地照射该伸展应力诱发材料层，而一些该紫外线照射则通过从该光学反射层反射以照射该伸展应力诱发材料层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110421372.8

专利申请（专利权）人：格罗方德半导体公司

专利发明（设计）人：R·里克特;T·胡伊辛加

主权项：一种制造半导体装置的方法，该方法包含：在半导体晶圆上制作n?型金氧半导体NMOS晶体管结构；在该NMOS晶体管结构上方形成光学反射层；在该光学反射层上方形成伸展应力诱发材料层；以及固化该伸展应力诱发材料层，其是通过施加紫外线照射，使得一些该紫外线照射直接地照射该伸展应力诱发材料层，并使得一些该紫外线照射则通过从该光学反射层反射以照射该伸展应力诱发材料层。

专利地区：英国