藉由氮化物硬掩膜层及氧化物掩膜形成信道半导体合金专利登记公告

专利名称：藉由氮化物硬掩膜层及氧化物掩膜形成信道半导体合金

摘要：本发明涉及藉由氮化物硬掩膜层及氧化物掩膜形成信道半导体合金，当形成复杂的高介电系数金属闸极电极结构时，可藉由基于硬掩膜方案生长临界调整半导体合金，以加强该装置特性的均匀性，其可导致较少的明显表面地貌，尤其在紧密包装的装置区域中。为了达到这个目标，在一些例示的实施例中，可使用沉积的硬掩膜材料，以选择性提供减少厚度及较优均匀性的氧化物掩膜。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110433513.8

专利申请（专利权）人：格罗方德半导体公司;格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司

专利发明（设计）人：S·克朗霍尔兹;R·帕尔

主权项：一种方法，包含：在半导体装置的第一主动区域及第二主动区域之上形成第一硬掩膜层；选择性从该第二主动区域之上移除该第一硬掩膜层；选择性在该第二主动区域之上形成第二硬掩膜层；选择性从该第一主动区域之上移除该第一硬掩膜层；在该第一主动区域上形成一层半导体合金、以及使用形成在该第二主动区域之上的该第二硬掩膜层作为生长掩膜；移除该第二硬掩膜层；以及在该层半导体合金上形成第一晶体管的第一闸极电极结构以及在该第二主动区域上形成第二晶体管的第二闸极电极结构，该第一及第二闸极电极结构包含含金属闸极电极材料与门极绝缘层，该闸极

专利地区：开曼群岛