一种湿法刻蚀工艺专利登记公告

专利名称：一种湿法刻蚀工艺

摘要：本发明公开了一种晶体硅片的湿法刻蚀工艺，主要含有背面抛光工序，在刻蚀去边结之后，增加采用抛光液对晶体硅背面进行抛光工序，抛光时抛光液的温度为5~30℃，抛光时间为10s~10min，抛光液含有以下质量百分含量的组分：HF0.5%~10%、HNO35%~55%、H2SO45%~55%、醋酸5%~30%。通过增加背面抛光工序，可以使硅片背面更加光滑，加强其背反射，增强对太阳光中的长波段光谱的吸收，从而增加光能转换，提高电池的Isc，最终提高电池的转化效率。并且光滑的电池背面更加有利于后续铝硅合金与硅体的结合，

专利类型：发明专利

专利号：CN201110423218.4

专利申请（专利权）人：合肥晶澳太阳能科技有限公司

专利发明（设计）人：刘光;朱生宾;王永丰;谢忠阳

主权项：一种晶体硅片的湿法刻蚀工艺，主要含有背面抛光工序，其特征是：在刻蚀去边结之后，增加采用抛光液对晶体硅背面进行抛光工序，抛光时抛光液的温度为5~30℃，抛光时间为10s~10min，抛光液含有以下质量百分含量的组分：HF?0.5%~10%、HNO35%~55%、H2SO45%~55%、醋酸5%~30%。

专利地区：安徽