评价晶硅太阳能电池片副栅线高宽比的方法专利登记公告

专利名称：评价晶硅太阳能电池片副栅线高宽比的方法

摘要：本发明涉及一种评价晶硅太阳能电池片副栅线高宽比的方法，其特点在于包括以下步骤：首先，取相同进料批次的晶体硅片，均匀分成两组。之后，获得待加工成品。接着，将待加工成品进行丝网印刷，将完成后的成品进行烧结，获得两组对比成品。随后，在两组对比成品中分别取两类晶体硅片，进行栅线的显微观察，并对两类晶体硅片片进行栅线横截面积和栅线覆盖电池片宽度的量测，通过公式ζ＝S1/2/W，计算出晶体硅片的栅线数据。最后，对计算结果进行对比，数值较大的为优选品。这样，克服了之前栅线量测弊端，考虑到了晶体硅片串联电阻的影响因素，涵

专利类型：发明专利

专利号：CN201110428486.5

专利申请（专利权）人：中利腾晖光伏科技有限公司

专利发明（设计）人：彭江;黄书斌;赵文祥;王志刚;胡党平;倪正中;魏青竹;孙利国

主权项：评价晶硅太阳能电池片副栅线高宽比的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤①，取相同进料批次的晶体硅片，均匀分成两组；步骤②，将分组后的晶体硅片进行相同的测量前准备，获得待加工成品；步骤③，将待加工成品进行丝网印刷；步骤④，将步骤③完成后的成品进行烧结，获得两组对比成品；步骤⑤，在两组对比成品中分别取两类晶体硅片，均采用相同显微测试方法进行测量；步骤⑥，对步骤⑤中的两类晶体硅片进行栅线横截面积S和栅线覆盖硅片宽度W的量测，通过公式ζ＝S1/2/W，计算两类晶体硅片的栅线数据；步骤⑦，将步骤⑥的计算结果进行对比，

专利地区：江苏