用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构专利登记公告

专利名称：用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构

摘要：本发明涉及用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构，具体地一种形成应变硅集成电路器件的方法，包括：提供半导体衬底；形成上覆于半导体衬底的电介质层；形成上覆于电介质层的栅极层；形成上覆于栅极层的硬掩模；利用硬掩模作为保护层图案化栅极层，以形成栅极结构；形成上覆于栅极结构的电介质层；由电介质层形成多个隔片，同时保留上覆于栅极结构的硬掩模；利用电介质层和硬掩模作为保护层，刻蚀紧邻栅极结构的源区和漏区，而硬掩模防止栅极结构的任何部分暴露；保留硬掩模；将硅锗材料沉积到源区和漏区中，同时利用硬掩模使栅极层的

专利类型：发明专利

专利号：CN201110424029.9

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

专利发明（设计）人：陈军;吴汉明;高大为;朱蓓;伯凡帝·保罗

主权项：一种用于形成半导体集成器件的方法，包括：提供半导体衬底；形成上覆于所述半导体衬底的电介质层；形成上覆于所述电介质层的栅极层；形成上覆于所述栅极层的金属硬掩模；利用所述金属硬掩模作为保护层，图案化所述栅极层，以形成包括多个边缘的栅极结构；形成上覆于所述栅极结构的电介质层，以保护包括所述多个边缘的所述栅极结构；由所述电介质层形成多个隔片，同时保留上覆于所述栅极结构的所述金属硬掩模；利用所述电介质层和所述金属硬掩模作为保护层，刻蚀紧邻所述栅极结构的源区和漏区，同时所述金属硬掩模防止所述栅极结构的任何部分被暴露；

专利地区：上海