基于标准CMOS IC工艺制备互补隧穿场效应晶体管的方法专利登记公告

专利名称：基于标准CMOS IC工艺制备互补隧穿场效应晶体管的方法

摘要：本发明提供了一种利用标准CMOS?IC工艺制备互补隧穿场效应晶体管的方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法利用标准CMOS?IC工艺中的互补P阱和N阱掩膜版，用于注入形成阱、沟道掺杂和阈值调整，来实现TFET的本征沟道和体区，并利用版图上栅与漏区之间的间距抑制TFET的双极效应，实现互补TFET。本发明采用标准CMOS?IC工艺中现有的工艺，在不增加任何掩膜版和工艺步骤的基础上，实现了互补隧穿场效应晶体管（TFET）的制备。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210156899.7

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：黄如;黄芊芊;詹瞻;邱颖鑫;王阳元

主权项：一种基于标准CMOS?IC工艺制备互补隧穿场效应晶体管NTFET和PTFET的方法，具体包括以下步骤：1）衬底准备：轻掺杂或低掺杂的p型半导体衬底；2）初始热氧化并淀积一层氮化物；3）采用浅槽隔离技术制作有源区STI隔离，去除上述氮化物；4）利用CMOS中NMOS的P阱掩膜版，光刻同时暴露出NTFET和PTFET的有源区，与NMOS一同进行P阱注入，N沟道注入和N阈值调整注入；5）利用CMOS中PMOS的N阱掩膜版，光刻同时暴露出NTFET和PTFET的有源区，与PMOS一同进行N阱注入，P沟道注入和P阈

专利地区：北京